電源適配器EMC測(cè)試之前 |
電源適配器EMC設(shè)計(jì)是為了保證產(chǎn)品的EMC性能,而EMC性能的好壞直接涉及到電源適配器的市場(chǎng)準(zhǔn)入,隨著電子設(shè)備的大量運(yùn)用,各國(guó)都認(rèn)識(shí)到了電源適配器EMC 性能的重要性,紛紛從法規(guī)上提出對(duì)進(jìn)入本國(guó)市場(chǎng)的電子產(chǎn)品的EMC要求。電源適配器的 EMC 性能好壞,還關(guān)系到產(chǎn)品的穩(wěn)定性,影響客戶滿意度;主要表現(xiàn)在:產(chǎn)品 EMC 設(shè)計(jì)考慮不周易引起內(nèi)部串?dāng)_,影響產(chǎn)品穩(wěn)定性;抗外部干擾能力差,工作難穩(wěn)定;產(chǎn)生干擾會(huì)引起客戶投訴。最后產(chǎn)品的 EMC 性能好壞還與產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力密切相關(guān)。 1、溫升測(cè)試,45℃烤箱環(huán)境,輸入90,264時(shí)變壓器磁芯,線包不超過(guò)110℃,PCB在130℃以內(nèi)。其他的元器件具體值參考下安規(guī)要求,溫度最難整的一般都是變壓器。 2、絕緣耐壓測(cè)試DC500V,阻值大于100MΩ,初次級(jí)打AC3000V時(shí)間60S,小于10mA,產(chǎn)線量產(chǎn)可以打AC3600V,6S。建議采用直流電壓DC4242打耐壓。耐壓電流設(shè)置10mA,測(cè)試過(guò)程中測(cè)試儀器報(bào)警,要檢查初次級(jí)距離,初級(jí)到外殼,次級(jí)到外殼距離,能把測(cè)試室拉上窗簾更好,能快速找到放電的位置的電火花。3、對(duì)地阻抗,一般要小于0.1Ω,測(cè)試條件電流40A。 4、ESD一般要求接觸4K,空氣8K,有個(gè)電阻電容模型問(wèn)題。一般會(huì)把等級(jí)提高了打,打到最高的接觸8K,空氣15K。打ESD時(shí),共模電感底下有放電針的話,放電針會(huì)放電。電源適配器的ESD還會(huì)在散熱器與不同元器件之間打火,一般是距離問(wèn)題和PCB的layout問(wèn)題。打ESD打到15K把電源打壞就知道自己做的電源能抗多大的電壓,做安規(guī)認(rèn)證時(shí),心里有底。如果客戶有要求更高的電壓也知道怎么處理。參考EN61000-4-2。 5、EFT這個(gè)沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)問(wèn)題2KV。參考EN61000-4-4。 6、雷擊,差模1K,共模2K,采用壓敏14D471,有輸入大電解,走線沒(méi)有大問(wèn)題基本PASS。碰到過(guò)雷擊不過(guò)的情況,小功率5W,10W的打掛了,采用能抗雷擊的電解電容。單極PFC做反激打掛了MOSFET,在輸入橋堆后加入二極管與電解電容串聯(lián),電容吸收能量。LED電源適配器打2K與4K的情況,4KV就要采用壓敏電阻+GDT的形式。參考EN61000-4-5。 EFT,ESD,SURGE有A,B,C等級(jí)。一般要A等級(jí):干擾對(duì)電源適配器無(wú)影響。 7、低溫起機(jī)。一般便宜的電源,溫度范圍是0-45℃,貴的,工業(yè)類,或者LED什么的有要求-40℃-60℃,甚至到85℃。-40℃的時(shí)候輸入NTC增大了N倍,輸入電解電容明顯不夠用了,ESR很大,還有PFC如果用500V的MOSFET也是有點(diǎn)危險(xiǎn)的(低溫時(shí)MOSFET的耐壓值變低)。之前碰到過(guò)90V輸入的時(shí)候輸出電壓跳,或者是LED閃幾次才正常起來(lái)。增加輸入電容容量,改小NTC,增加VCC電容,軟啟動(dòng)時(shí)間加長(zhǎng),初級(jí)限流(輸入容量不夠,導(dǎo)致電壓很低,電流很大,觸發(fā)保護(hù))從1.2倍放大到1.5倍,IC的VCC繞組增加2T輔助電壓抬高;查找保護(hù)線路是否太極限,低溫被觸發(fā)(如PFC過(guò)壓易被觸發(fā))。
一、IEC1000—4—2 靜電放電
三、 IEC1000—4—4快速瞬變
電源適配器原邊串聯(lián)二極管鉗位電路及其改進(jìn)電路 文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除。 |
| 發(fā)布時(shí)間:2018.06.19 來(lái)源:電源適配器廠家 |
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