開關(guān)電源波形產(chǎn)生原理分析 |
電源適配器生產(chǎn)廠家今天分享第①個(gè)點(diǎn)波形產(chǎn)生的原因: 第①個(gè)點(diǎn)就是傳說中的米勒效應(yīng)平臺(tái), 再上個(gè)MOS管的圖:三個(gè)電容分別為MOS的結(jié)電容,這里不多說。在MOS導(dǎo)通的瞬間,會(huì)經(jīng)過米勒效應(yīng)區(qū)(可理解為放大區(qū)),輸入電容Cgs=C1+C2,此時(shí)的C1不再是靜態(tài)的電容,而是C1=Cdg(1+A),A是放大系數(shù)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流(Ig=Cgs*dVds/dt)給Cgs充電時(shí),由于米勒效應(yīng)等效到輸入端的電容會(huì)放大N倍,輸入電容突然增大,所以導(dǎo)致了充電電壓的一個(gè)平臺(tái),有時(shí)甚至?xí)幸粋€(gè)下降尖峰趨勢(shì)平臺(tái)(如上圖),而這個(gè)平臺(tái)增加了MOS的導(dǎo)通時(shí)間,造成了我們通常所說的導(dǎo)通損耗。 其實(shí)米勒效應(yīng)描述的就是電子器件中輸出和輸入之間的電容反饋。
其實(shí)對(duì)于第③點(diǎn)波形的分析我自己覺得我的分析還不是很有說服力,所以借此和大家探討第③點(diǎn)波形(為什么會(huì)有負(fù)電流產(chǎn)生?),希望大家不要吝嗇自己獨(dú)到的見解。晚上有時(shí)間上傳本人②④波形的分析。
上面的實(shí)測(cè)波形就是普通的反激式,電流采樣電阻就是接在MOS的S腳。
上圖中,Ls為漏感,Lm為激磁電感,Cs為分布電容,Cd和Cds分別為肖特基和MOS的結(jié)電容。
實(shí)際探頭接的就是MOS的S腳和GND,能量通過MOS,為什么電流不到S腳!電流到了S腳,自然有一部分電流通過采樣電阻。
你的說了是阻尼振蕩了,所以那個(gè)波形的幅度離Vin+Vor肯定是越來越遠(yuǎn)啊。只有個(gè)類似正弦波的峰值可以達(dá)到Vin+Vor.
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| 發(fā)布時(shí)間:2017.05.04 來源:東莞市玖琪實(shí)業(yè)有限公司 |
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